MicroLED의 3 가지 구현

MicroLED는 현재 세 가지 공정을 알고 있으며 가장 빠른 필름 전사 기술을 사용할 것으로 예상됩니다

MicroLED 기술 프로세스는 칩 레벨 용접 에피 택셜 용접과 다른 구현 방법에 따른 필름 전송으로 나눌 수 있습니다.

칩 본딩 (칩 본딩) : LED를 마이크로 스케일 MicroLED 칩으로 직접 절단 한 다음 SMT 기술 또는 COB 기술을 사용하여 마이크로 스케일 MicroLED 칩을 하나씩 디스플레이 기판에 연결합니다.

에피 택셜 웨이퍼 본딩 (Epitaxial wafer bonding) : 마이크로 스케일 마이크로 -LED 에피 택셜 박막 구조로부터 LED의 에피 택셜 박막층상의 유도 결합 플라즈마 이온 에칭 (ICP)을 수행 한 다음 LED 웨이퍼 (에피 택셜 층 및 기판 포함) 구동 회로 기판에 직접 접합되고, 최종적으로 기판은 디스플레이 소자를 형성하기 위해 구동 회로 기판 상에 마이크로 -LED 에피 택셜 박막 구조만을 남기고 물리적 또는 화학적 메카니즘을 사용하여 박리된다.

박막 전달 : LED 기판을 박리하여 임시 기판을 갖는 LED 에피 택셜 박막층을 운반하고 유도 결합 플라즈마 에칭을 수행함으로써 마이크로 레벨 MicroLED 에피 택셜 박막 구조가 형성된다. 또는 유도 적으로 결합 된 플라즈마 이온 에칭을 사용하여 마이크로 크기의 MicroLED 에피 택셜 박막을 형성 할 수있다. 상기 구조는 LED 기판을 박리함으로써, 임시 기판을 통해 LED 에피 택셜 박막 구조를 운반한다.

도표 : microLED 다른 공정 기술 특징

현재 Sony가 대표하는 microLED 대형 스크린 어플리케이션은 주로 칩 레벨 용접 방법을 채택합니다. 애플은 중소형 디스플레이에 더 적합한 박막 전송 기술을 홍보하고있다. 여기서 우리는 Apple이 채택 할 영화 전송 기술만을 소개합니다. MicroLED 필름 전송 기술 흐름은 1) MicroLED 칩 준비, 2) MicroLED 칩 전송; 3) TFT 기판과 드라이버 IC를 실장하여 제품 패키지를 완성하십시오.

MicroLED 칩 준비, 플립 칩 공정은 추세입니다.

MicroLED 칩의 준비 과정은 기존의 LED 칩과 유사합니다. 청색 - 녹색광 칩은 생산 공정을 소개하는 예로서 만 사용된다. LED 칩은 PSS 패턴 기판, LED 에피 택셜 성장 및 사파이어 기판 물질상의 칩 처리와 같은 기술적 공정을 수행함으로써 제조된다. MicroLED 칩은 일반 LED 칩보다 훨씬 작은 크기 (수 마이크론)이지만 기존의 에칭 기술은 마이크로 미터 수준의 칩을 완벽하게 처리 할 수 있으며 기술적으로 큰 어려움이 없습니다. 다음은 LED 칩 성장의 각 링크에 대한 간략한 소개입니다.

사파이어 기판 성장 에피 택셜 웨이퍼 (파란색 녹색 LED 칩)

먼저, 사파이어 재료가 PSS 기판 상에 패터닝된다. 이 단계의 목적은 칩의 외부 광 추출을 달성하기 위해 사파이어 기판의 표면 상에 규칙적으로 배열 된 원뿔을 에칭함으로써 기판에서 광의 다중 반사를 실현하는 것이다. 빛의 효율성. 그 후, 언 도핑 버퍼층 (U-GaN), N 형 질화 갈륨 (N-GaN), 활성층 (MQWs, 다중 양자 우물) 및 P 형 질화 갈륨 층 (P-GaN) PSS 층 상에 순차적으로 성장된다. ).